三星公布内存示意图：2027年DDR6内存将突破10Gbps

IT之家10同月8日立即，据德媒computerbase立即，Samsung在SamsungFoundryForum2022商业活动中都详述了其存储器路线图。

如上图上图，在即将到来的2023年，Samsung将进入1bnm工艺技术前期，存储器闪存容量将达致24Gb（3GB）- 32Gb（4GB），原生运动速度将在6.4-7.2Gbps。闪存方面，同类型 GDDR7闪存将在明年问世，因此AMD和英伟达硬件的同类型硬件的中都期改款就有但会用上GDDR7闪存。

此外，Samsung还进行了一些将来的想法，如2026年热卖DDR6存储器，2027年即意味着原生10Gbps的运动速度。

Samsung也公布了其闪存的路线图，原计划将在2024年热卖V9NAND闪存。

IT之家曾报导，Samsung在即便如此的 TechDay2022商业活动中都认为，其第九代V-NAND早就研发中都，原计划于2024年换装。到2030年，Samsung想法NAND堆有约1，000层，以更好地赞成下一代的数据密集型电子技术。Samsung还宣布，世界性最高者容量的1TbTLCV-NAND将于今年年底向投资者包括。

责任编辑：蔡科峰 ST030

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