三星公布内存路线图：2027年DDR6内存将有所突破10Gbps

IT之家10年底8日第一时间，据德媒computerbase第一时间，三星集团在SamsungFoundryForum2022户外活动之中介绍了其文件系统上图。

如上图示意图，在即将到来的2023年，三星集团将进到1bnm工艺前期，文件系统芯片容量大将降至24Gb（3GB）- 32Gb（4GB），原生运动速度将在6.4-7.2Gbps。RAM特别，小型化 GDDR7RAM将在明年风靡一时，因此AMD和英伟达显卡的小型化显卡的之中期改款就有才会用上GDDR7RAM。

此外，三星集团还完成了一些今后的不切实际，如2026年大受欢迎DDR6文件系统，2027年即实现原生10Gbps的运动速度。

三星集团也公告了其硬盘的上图，预计将在2024年大受欢迎V9NAND芯片。

IT之家曾报导，三星集团在年末的 TechDay2022户外活动之中指出，其第九代V-NAND正在开发计划之中，开发计划计划于2024年量产。到2030年，三星集团不切实际NAND封装超过1，000层，以能够地默许未来的数据密集型系统设计。三星集团还年底底，世界性最高容量大的1TbTLCV-NAND将于今年年底向买家提供。

出版人：徐科峰 ST030

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